隨著新型納米材料在電子器件、傳感器等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，精確表征材料在不同環(huán)境下的介電性能成為研究關(guān)鍵。我們基于冷熱臺(tái)HCS與阻抗分析儀的聯(lián)用技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)測(cè)試氧化石墨烯薄膜的介電常數(shù)隨溫度變化的規(guī)律，揭示其介電性能的溫度依賴性機(jī)制。

HCS冷熱臺(tái)憑借其寬溫區(qū)和高精度溫控能力，為介電測(cè)試提供了穩(wěn)定的溫度環(huán)境。其智能化設(shè)計(jì)解決了傳統(tǒng)變溫裝置體積龐大、液氮填充頻繁的痛點(diǎn)，通過(guò)磁屏蔽結(jié)構(gòu)優(yōu)化和自動(dòng)液氮補(bǔ)給系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了與阻抗分析儀的無(wú)縫聯(lián)用。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，氧化石墨烯薄膜樣品被固定于平行板電極間，通過(guò)冷熱臺(tái)溫度梯度循環(huán)同步采集介電常數(shù)（ε'）相關(guān)數(shù)據(jù)。通過(guò)循環(huán)變溫測(cè)試，成功復(fù)現(xiàn)了柔性電子器件在極端環(huán)境下的介電性能衰減規(guī)律，測(cè)得介電常數(shù)漂移量，證明材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

冷熱臺(tái)聯(lián)用阻抗分析儀技術(shù)為二維材料介電研究提供了高精度、寬溫區(qū)的測(cè)試方案。本研究不僅闡明了氧化石墨烯的介電機(jī)理，更為設(shè)計(jì)溫度自適應(yīng)介電功能材料奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。未來(lái)可結(jié)合原位拉曼光譜，進(jìn)一步揭示微觀結(jié)構(gòu)與宏觀介電性能的構(gòu)效關(guān)系。