在MOCVD工藝中，外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關(guān)系，且溫度波動會直接影響薄膜的均勻性和結(jié)晶質(zhì)量。

根據(jù)溫度的變化可以將外延薄膜生長行為大致分成三個區(qū)：動力學(xué)控制區(qū)、質(zhì)量傳輸控制區(qū)、熱力學(xué)控制區(qū)：

動力學(xué)控制區(qū)：

生長速率隨溫度升高呈指數(shù)增長；隨溫度的升高，生長速率會因源分解加劇而變快。溫度波動對反應(yīng)速率影響很大，進而影響生長薄膜的均勻性。

質(zhì)量傳輸控制區(qū)：

當溫度上升到能使源完全分解時，生長速率基本不隨溫度變化或緩慢下降，此后質(zhì)量輸運將主導(dǎo)生長速率，從而獲得穩(wěn)定、可控的外延層。

熱力學(xué)控制區(qū)：

伴隨溫度的持續(xù)上升， 源反應(yīng)進一步加劇，外延層發(fā)生分解，生長速率下降。